Приложение G. Характериограф



==1115

Очень удобный инструмент для исследования поведения транзисторов как биполярных ( Часть _2 ), так и полевых ( Часть _3 ) является характериограф . Если просто, он рисует графики зависимости коллекторного тока от напряжения на коллекторе для набора равноотстоящих токов базы ( или, если вам ближе модель Эберса-Молла [* §2.3.1 ] , напряжений базы ) и для разных токоограничивающих резисторов ^_1 . На рис. G.1 показано, что можно получить для случайно выбранного 2N3904, управляемого набором токов базы с шагом 5 μA с плавным качанием напряжения коллектора от 0 до 50 V для каждого тока. Хорошо виден момент перед самым пробоем чуть ниже 50 V ( максимальное пробивное напряжение \( V_{CEO} \) =40 V ), и как вместе с напряжением коллектора растёт бета. Данный конкретный прибор любезно высвечивает масштабные множители, включая «\(β\) на деление». Для выбранного транзистора он равен 200 ( справочные данные указывают 100≤ \(β\) ≤300 при \(I_C\) =10 mA ). Характериограф позволяет легко отобрать близко совпадающие экземпляры.

К сожалению, характериографы исчезли из приборных линеек большинства, если не всех, производителей тестового и измерительного ( T&M ) оборудования, и в том числе Tektronix. Их ещё можно найти на вторичном рынке, например, на eBay за сумму порядка $1000. Agilent предлагает несколько симпатичных приборов, которые могут делать такую работу, но перед тем, как спрашивать цену, лучше присесть. Называются такие приборы «Анализатор параметров полупроводников» (model 4155C ) и «Анализатор мощных приборов/Характериограф» (model B1505A ).

Не такой дорогой вариант – «измеритель параметров сигнала» ( SMU ). Это удобный инструмент, который позволяет подавать напряжение и ток в выбранную точку схемы, одновременно измеряя и сохраняя данные по другим потенциалам и токам. В качестве тестового воздействия можно выбрать постоянный потенциал, линейно меняющееся напряжение, перепад или импульс. С помощью компьютера можно отображать и записывать результаты, переводить их в табличную форму и т.д. Скажем, рис. 8.39 или иллюстрации для главы «Мощные транзисторы для линейных усилителей» из Части X3 построены по данным, собранным с помощью SMU.



==1115